时间：2025/6/23 19:32:05
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FN03B151K500PLG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，在保证低导通电阻的同时具备优异的开关性能。
FN03B151K500PLG 适用于高效率转换场景，其封装形式为 PLG（Power Logic Gate），能够有效降低热阻并提高散热性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：250mΩ
栅极阈值电压：3V~4V
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：PLG
FN03B151K500PLG 的主要特点是其高耐压能力和低导通电阻。该器件能够在高达 500V 的漏源电压下稳定工作，同时保持较低的导通电阻以减少功率损耗。
此外，其 PLG 封装设计进一步增强了散热性能，使得该器件非常适合于高温环境下的应用。FN03B151K500PLG 还具有快速开关能力，能够显著降低开关损耗，从而提升整体系统的效率。
该产品还具备出色的 ESD 防护能力和抗雪崩能力，确保在恶劣环境下也能可靠运行。
FN03B151K500PLG 广泛用于需要高效率和高可靠性的应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流电机驱动、逆变器、LED 驱动器以及各种工业控制设备。
由于其卓越的开关特性和耐高压能力，这款功率 MOSFET 也常被用作 PFC（功率因数校正）电路中的关键元件。此外，它还可以作为负载开关或保护电路中的电子保险丝使用。
IRF840
STP15NF50
FQP17N50
