时间：2025/5/9 9:07:31
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FDC30N20DZ 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率器件领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子设备以及工业控制等领域。
该型号属于 FDC 系列 MOSFET，主要面向中高压应用场景设计，能够承受高达 200V 的漏源极电压，并提供较低的导通电阻以减少功耗。
漏源极电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V
总功耗(Ptot)：18W
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
FDC30N20DZ 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：漏源极电压可达 200V，适用于多种高压应用环境。
2. 低导通电阻：Rds(on) 仅为 0.3Ω，在高电流条件下显著降低功耗。
3. 快速开关性能：优化的内部结构使其具有快速的开关速度，适合高频电路。
4. 优异的热稳定性：通过改进的封装设计和材料选择，提高了器件的散热性能。
5. 可靠性高：经过严格的测试流程，确保其在极端条件下的稳定运行。
6. 小型化封装：采用 TO-220 封装，方便安装并节省空间。
7. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间，适应各种恶劣环境。
FDC30N20DZ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主功率开关或同步整流元件。
2. 电机驱动：用于直流无刷电机（BLDC）控制器中的桥式电路。
3. 电池管理系统（BMS）：用作保护开关或负载切换元件。
4. 工业自动化：驱动继电器、电磁阀或其他负载。
5. 消费类电子产品：如适配器、充电器等需要高效能功率转换的应用。
6. LED 驱动器：为大功率 LED 提供精确的电流控制。
FDP040N20DZ, IRFZ44N, STP16NF20
