时间：2025/7/2 17:06:05
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RF15N1R1C500CT 是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频射频应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术制造，具有高功率密度、高效率和宽带宽的特点，适用于通信系统、雷达和卫星通信等领域。
这款 GaN HEMT 在高频工作条件下表现出优异的性能，同时支持高输出功率和高增益。其封装形式通常为行业标准的表面贴装或法兰盘式封装，便于集成到各种射频电路中。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：15A
栅极电荷：20nC
导通电阻：1.1mΩ
击穿电压：120V
热阻：0.3°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
RF15N1R1C500CT 的主要特性包括：
1. 高频率操作能力，适合GHz级别的射频应用。
2. 高输出功率和高增益，满足现代通信系统对功率效率的需求。
3. 氮化镓技术带来的低热阻和高可靠性，能够在严苛环境下稳定运行。
4. 小尺寸封装，有助于实现紧凑型设计。
5. 内置静电防护功能，增强器件的鲁棒性。
6. 支持线性调制模式，适用于复杂的数字调制信号处理。
RF15N1R1C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 基站功率放大器（PA）
2. 微波无线电
3. 卫星通信系统
4. 雷达系统
5. 医疗成像设备
6. 工业加热与等离子体生成
7. 宽带通信系统中的功率放大模块
RF15N1R2C500CT, RF20N1R1C500CT
