FDBL86561 时间：2025/12/29 15:06:01 阅读：11

FDBL86561是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双N沟道功率MOSFET，主要用于高性能电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统等场合。FDBL86561采用紧凑的SO-8封装，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。该MOSFET具有良好的稳定性和可靠性，在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中广泛应用。

参数

类型：双N沟道功率MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：5.5A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SO-8

特性

FDBL86561采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其低RDS(on)特性使得在高电流应用中温升更小，提升了整体系统稳定性。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频操作环境，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高电源转换效率。
　　该MOSFET的双通道设计允许用户在同步整流或H桥电路中使用，简化了电路布局并降低了PCB设计复杂度。其SO-8封装具备良好的热管理能力，能够在有限的空间内有效散热，适合高密度电源设计。
　　FDBL86561还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在严苛环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制IC配合使用。

应用

FDBL86561广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统、电动工具和LED照明驱动器。此外，该器件也适用于工业自动化设备、消费类电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）的电源管理单元。