CL10C3R9CBND是一种陶瓷电容器,属于C0G/NP0类介质材料的多层陶瓷电容器(MLCC)。这种电容器具有高稳定性和低温度系数,适用于需要高频率和高稳定性的电路应用。它广泛用于滤波、耦合、去耦以及信号处理等场景。该型号由村田制作所(Murata)生产,符合行业标准,并具有优异的电气性能和可靠性。
容量:3.9nF
额定电压:50V
容差:±5%
直流偏置特性:低
封装类型:0603英寸
工作温度范围:-55℃至+125℃
尺寸:1.6mm x 0.8mm
介质材料:C0G/NP0
ESR:≤0.05Ω
Q值:≥5000
CL10C3R9CBND采用C0G/NP0介质材料,这种材料的特点是温度系数极小,即使在宽温度范围内,其容量变化也几乎可以忽略不计。此外,由于其结构设计合理,产品表现出极高的稳定性,尤其是在高频环境下表现尤为突出。
这款电容器具有较低的等效串联电阻(ESR),能够有效降低信号失真和功率损耗。同时,它的等效串联电感(ESL)也非常低,使其适合用于高速开关电路和射频电路中。
另外,CL10C3R9CBND支持表面贴装技术(SMT),安装方便且适合大规模自动化生产,同时其小型化设计也有助于节省PCB空间。
CL10C3R9CBND主要应用于对电容器稳定性要求较高的场景,包括但不限于:
1. 滤波器设计:如音频、视频信号处理中的滤波应用。
2. 高频电路:如无线通信设备、射频模块等。
3. 去耦和旁路:用于电源供电线路以减少噪声干扰。
4. 耦合电路:例如放大器级之间的信号传递。
5. 数据转换电路:如ADC/DAC缓冲电路。
6. 精密仪器仪表:如医疗设备或工业测量装置中的关键节点。
CL10C3R9QB_NX, GRM155C80J3R9KNE4A, C0402C3R9BBTACTU