SLP50N06Q 时间：2025/4/27 9:48:02 阅读：9

SLP50N06Q 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。其额定电压为 60V，能够承受较高的瞬态电压，并且在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　SLP50N06Q 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电池供电设备、便携式电子设备中的负载开关以及电机驱动等。由于其封装小巧，非常适合对空间要求严格的电路设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻（典型值）：0.15Ω
　　栅极电荷：7nC
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

SLP50N06Q 具有以下主要特性：
　　1. 额定电压高达 60V，适用于多种中低压应用环境。
　　2. 导通电阻低至 0.15Ω（典型值），可有效降低功率损耗，提高效率。
　　3. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计。
　　4. 支持高开关频率，适用于快速开关电路。
　　5. 工作温度范围广，适应从低温到高温的各种使用场景。
　　6. 内部保护二极管集成，增强了器件的耐用性和可靠性。

应用

SLP50N06Q 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池供电设备中的负载开关，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
　　3. 各种消费类电子产品中的小型电机驱动。
　　4. LED 照明系统的恒流驱动电路。
　　5. 通信设备中的信号切换与功率管理模块。
　　6. 数据存储设备中的高效电源管理单元。