类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.3mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FDB082N15ATM具备多项高性能特性，首先其采用Trench沟槽结构技术，使得器件在高电压下仍能保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高效率。其次，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或过载条件下提供更高的可靠性。此外，其优化的栅极设计降低了高频开关过程中的开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　在热性能方面，FDB082N15ATM采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热传导性能，有助于快速散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性和寿命。此外，该器件的栅极氧化层经过强化设计，具备较高的栅极电压稳定性，支持高达±20V的栅源电压，使其在复杂驱动条件下也能保持良好的工作状态。
　　此外，FDB082N15ATM符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于现代绿色电子产品的设计要求。该器件在工业自动化、新能源汽车、光伏逆变器、通信电源等领域具有广泛的应用前景。

FDB082N15ATM适用于多种高功率、高频应用场合，例如：
　　1. 电源管理系统：用于高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等；
　　2. 工业控制：用于伺服电机控制、逆变器和变频器中的功率开关；
　　3. 新能源领域：用于太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电模块等；
　　4. 通信设备：用于基站电源、服务器电源和高密度电源模块；
　　5. 家电与消费电子：用于智能家电中的功率控制电路。

FDB082N15A; FDB082N15AS