类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　连续漏极电流（Id）：69A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：48nC（典型值）
　　最大工作温度：150℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55℃至150℃

FDB069N15AL7采用ON Semiconductor的SuperFET? II技术，该技术基于电荷补偿原理，通过优化电场分布，显著降低了导通电阻并提高了器件的击穿电压能力。这种技术使得MOSFET在保持低导通损耗的同时，还具有优异的开关性能，适用于高频开关电源和高效能转换系统。该器件的导通电阻仅为8.5mΩ，有效降低了功率损耗，提升了整体系统效率。
　　FDB069N15AL7具备出色的热管理能力，其TO-263（D2PAK）封装设计支持良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件的栅极电荷仅为48nC，有助于降低驱动损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。
　　此外，FDB069N15AL7具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为69A，并能在极端温度条件下（-55℃至150℃）稳定工作，适用于严苛的工业环境和高可靠性应用场景。

FDB069N15AL7广泛应用于各类高效能功率转换系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电源管理系统以及服务器和电信设备的电源模块。由于其优异的导通和开关性能，该器件也适用于需要高频率操作的功率变换器，如PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振转换器和ZVS（零电压开关）拓扑结构。
　　在工业自动化领域，FDB069N15AL7可用于高性能电机驱动器和逆变器系统，提供高效的能量转换和稳定的运行性能。在新能源应用中，如太阳能逆变器和储能系统，该MOSFET可有效提升系统效率并降低发热量，确保长期可靠运行。

FDB069N15AL7F150，FDB069N15A