时间：2025/5/30 12:18:44
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19-213/G6C-AP1Q2/3T 是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
该型号中的具体参数和设计使其在高电流应用中表现尤为突出，同时其封装形式也经过优化，以提高散热性能和便于安装在PCB板上。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：175W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
19-213/G6C-AP1Q2/3T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗，提高了系统的整体效率。
4. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持良好的性能。
5. 内置的ESD保护功能增强了器件的可靠性。
6. 封装设计紧凑且易于焊接，简化了生产流程。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
3. DC-DC转换器中的同步整流管。
4. 电动车和工业自动化设备中的功率模块。
5. 大功率LED驱动电路中的关键组件。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
G6C-AP1Q1/3T, G6C-AP1Q3/3T
