时间：2025/8/25 7:41:31
阅读：6
HGTP5N120CND 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高效率的开关应用。该器件采用了先进的MOSFET技术，具备低导通电阻和高速开关能力，适用于电源转换、电机控制、逆变器等电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 250μA
功率耗散（Pd）：62W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
HGTP5N120CND 具备多项高性能特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，其高漏源电压（1200V）设计使其适用于高压电源系统，如工业电源和电机驱动器。此外，该器件的导通电阻较低（最大2.5Ω），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
其次，HGTP5N120CND 采用TO-247AC封装，具有良好的热管理和散热性能，适合在高功率环境下工作。其栅极阈值电压为4.5V，兼容标准逻辑驱动电路，便于集成到各种控制电路中。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力和热稳定性，能够有效防止过载和异常工作条件下的损坏，从而提高系统的可靠性和安全性。此外，该器件的开关速度快，能够满足高频开关应用的需求，进一步提升系统效率并减小外围元件的尺寸。
HGTP5N120CND 主要用于需要高压和高效率的开关电路中。典型应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、工业自动化设备和电力调节系统。由于其高耐压能力和低导通损耗，该MOSFET也常用于高频电源变换器和节能照明系统中。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，HGTP5N120CND 也具备广泛的应用潜力。其优异的热性能和可靠的电气特性使其成为高要求工业应用的理想选择。
STP5NK120Z、FGL5N120AND、SGT5N120XK
