时间：2025/12/29 15:04:00
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FDB045AN08A0_F085 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关和高效能电源管理系统。该器件设计用于高电流、低电压应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）：45A（最大）
Rds(on)：5.3mΩ（最大）@ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：双排扁平封装（DFP）
安装类型：表面贴装（SMD）
FDB045AN08A0_F085 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。其高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用。此外，该器件的封装设计优化了热管理性能，使芯片在高负载条件下依然保持稳定运行。
该MOSFET具备出色的短路耐受能力和高雪崩能量耐受性，确保在极端工作条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的驱动电路进行控制。同时，该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的体积，提升系统集成度。
从制造工艺来看，FDB045AN08A0_F085 符合RoHS环保标准，采用无铅封装，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。
FDB045AN08A0_F085 广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源系统中，例如服务器电源、电信电源设备、电动车电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关控制电路。此外，它也可用于高性能计算设备和工业自动化系统中的电源模块设计。
在服务器和数据中心的电源供应单元（PSU）中，这款MOSFET能够提供稳定的高电流输出，同时降低导通损耗，从而提升整体能效。在电动车应用中，该器件可用于电池保护电路和充电管理模块，确保电池系统的安全与高效运行。
由于其优异的热性能和高可靠性，该MOSFET也适用于要求长时间连续工作的工业设备和嵌入式系统中。
FDB045AN08A0_F085 的替代型号包括：FDBL045AN08A0、FDMS7680、SiR142DP-T1-GE3、IRF6723PbF
