型号：EMK042CG3R4CD-W
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0201 (0603公制)
　　电容值：3.4pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：6.3V DC
　　介质材料：X7R
　　温度系数：±15% (-55°C 至 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层陶瓷（MLCC）
　　端接形式：镍阻挡层/锡覆盖（Ni/Sn）
　　产品等级：工业级
　　符合标准：RoHS合规，无卤素（Halogen-Free）
　　典型应用频率：高频射频电路

EMK042CG3R4CD-W作为一款超小型多层陶瓷电容器，在高频电路中表现出卓越的电气性能和物理稳定性。首先，其采用X7R陶瓷介质材料，确保了在宽温度范围内电容值的高度稳定性。X7R材料具有非线性但可预测的温度特性，允许在-55°C到+125°C之间电容变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度漂移敏感但不需要极高精度的射频调谐和滤波应用。该电容器的3.4pF低电容值设计专为高频匹配网络优化，常见于天线阻抗匹配、RF放大器输入输出端的LC谐振电路中，能有效提升信号传输效率并减少反射损耗。
　　其次，该器件采用0201微型封装，尺寸仅为0.6mm × 0.3mm × 0.3mm，极大节省PCB空间，支持高密度布局，特别适用于轻薄型移动设备如智能手机、可穿戴设备和微型传感器模块。尽管体积微小，其机械强度和焊接可靠性经过严格测试，能够承受回流焊热应力，并具备良好的抗弯曲和抗振动能力，降低因板弯导致的裂纹风险。此外，其内部电极采用先进的叠层工艺和精细印刷技术，实现稳定的电气参数和低寄生效应。
　　再者，EMK042CG3R4CD-W具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这使得它在GHz级别的高频应用中仍能保持优良的阻抗特性，适合作为高频去耦或旁路电容使用。其快速响应瞬态电流变化的能力有助于稳定电源轨，抑制噪声干扰。同时，该器件的端电极为三层结构（铜-镍-锡），提供良好的可焊性和长期环境耐久性，防止氧化和潮湿侵蚀，保证长期工作可靠性。整体而言，这款MLCC结合了小型化、高频性能与工业级稳定性，是现代高频电子系统中的关键被动元件之一。

该电容器主要应用于高频模拟和射频电子系统中，典型用途包括移动通信设备中的天线匹配网络、前端模块（FEM）内的LC滤波电路、无线局域网（WLAN）、蓝牙和5G射频链路中的信号耦合与调谐。由于其精确的低电容值和高稳定性，常被用于压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和射频功率放大器（PA）的偏置与反馈路径中。此外，在高速数字电路中，该器件也可作为局部高频去耦电容，用于抑制高频噪声和电源波动，提升信号完整性。其他应用场景还包括射频识别（RFID）标签读写器、微型传感器模块、无人机通信模块以及各种便携式消费类电子产品中的射频前端设计。其小型化特性也使其成为高密度HDI（高密度互连）电路板的理想选择。

GRM0225C1H3R4WA01D