时间：2025/9/2 5:57:51
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H5TC2G83GFR-RDA是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用先进的半导体技术制造，适用于需要高速数据处理和存储的电子设备。其设计旨在提供可靠的数据存储性能，并支持现代电子设备对内存容量和速度的需求。该芯片广泛应用于计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域。
容量：2Gbit
类型：DRAM
封装类型：FBGA
电压：1.8V
数据速率：166MHz
组织结构：x8, x16
H5TC2G83GFR-RDA具备高性能和低功耗的特点，使其非常适合用于需要高带宽和低延迟存储解决方案的应用。该芯片的高速数据速率可以有效提升系统的整体性能，同时其低电压设计有助于减少功耗，提高能效。
此外，该DRAM芯片采用了先进的封装技术，确保了其在高密度应用中的稳定性和可靠性。其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能，还优化了空间利用率，适用于紧凑型设备的设计。
在工作温度范围方面，H5TC2G83GFR-RDA能够在广泛的温度范围内正常运行，这使其适用于工业级和商业级的各种应用环境。该芯片还符合RoHS标准，确保了其在环保和可持续发展方面的要求。
H5TC2G83GFR-RDA广泛应用于个人计算机、笔记本电脑、服务器、网络设备、嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要高性能存储解决方案的电子设备。由于其高速度和低功耗的特性，它也适用于消费类电子产品，如平板电脑和智能电视等。
H5TC2G83GFR-PBA, H5PS2G83EFR-RDA
