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H5TC2G83GFR-RDA 发布时间 时间:2025/9/2 5:57:51 查看 阅读:2

H5TC2G83GFR-RDA是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用先进的半导体技术制造,适用于需要高速数据处理和存储的电子设备。其设计旨在提供可靠的数据存储性能,并支持现代电子设备对内存容量和速度的需求。该芯片广泛应用于计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量:2Gbit
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  电压:1.8V
  数据速率:166MHz
  组织结构:x8, x16

特性

H5TC2G83GFR-RDA具备高性能和低功耗的特点,使其非常适合用于需要高带宽和低延迟存储解决方案的应用。该芯片的高速数据速率可以有效提升系统的整体性能,同时其低电压设计有助于减少功耗,提高能效。
  此外,该DRAM芯片采用了先进的封装技术,确保了其在高密度应用中的稳定性和可靠性。其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还优化了空间利用率,适用于紧凑型设备的设计。
  在工作温度范围方面,H5TC2G83GFR-RDA能够在广泛的温度范围内正常运行,这使其适用于工业级和商业级的各种应用环境。该芯片还符合RoHS标准,确保了其在环保和可持续发展方面的要求。

应用

H5TC2G83GFR-RDA广泛应用于个人计算机、笔记本电脑、服务器、网络设备、嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要高性能存储解决方案的电子设备。由于其高速度和低功耗的特性,它也适用于消费类电子产品,如平板电脑和智能电视等。

替代型号

H5TC2G83GFR-PBA, H5PS2G83EFR-RDA

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