型号：FD1600CV-80
　　类型：FPM DRAM
　　容量：16 Mbit (2M x 8)
　　供电电压：5V ± 0.5V
　　访问时间：80 ns
　　封装形式：SOJ-32 (Small Outline J-leaded Package)
　　数据宽度：8位
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms 或 64 ms（依据具体规格）
　　地址输入：A0-A11, RAS#, CAS#, WE#
　　封装尺寸：符合JEDEC标准SOJ-32尺寸规范
　　输出驱动能力：TTL兼容

FD1600CV-80具备典型的FPM DRAM操作特性，支持快速页模式访问，允许在同一行地址下连续读取多个列地址数据，从而提升数据吞吐效率。这种机制特别适用于需要顺序访问内存的应用场景，如图形显示缓冲区读取或批量数据处理任务。其内部结构由16兆位存储阵列构成，组织为2048行×8192列，并划分为两个独立的存储体（bank），以提高寻址效率和减少等待时间。
　　该芯片采用CMOS制造工艺，具备较低的静态功耗和合理的动态功耗表现，适合长时间运行的嵌入式系统使用。在读写控制方面，它通过标准的异步控制信号线（RAS#、CAS#、WE#）进行操作，支持多种读写模式，包括静态列读写、隐藏式刷新以及RAS-only刷新等功能，增强了系统的灵活性和可配置性。
　　FD1600CV-80还具备良好的抗干扰能力和电平兼容性，输入端设有施密特触发器设计，提升了噪声容限，确保在复杂电磁环境中稳定运行。此外，其地址多路复用设计减少了引脚数量，有利于缩小PCB布局空间，降低系统成本。
　　值得注意的是，该器件支持CAS#先于RAS#检测的刷新机制（CAS-before-RAS Refresh），可在不中断正常读写操作的情况下完成定期刷新，保障数据完整性。这一特性对于需要持续运行且不能频繁停机的服务型设备尤为重要。虽然其访问速度相对于现代同步DRAM较慢，但在低速控制系统、老式工控机或POS终端中依然能够胜任基本存储任务。同时，该芯片的引脚排列符合行业通用标准，便于替换或兼容其他厂商同规格产品。

FD1600CV-80主要应用于早期的个人计算机主板、ATX电源控制模块、工业控制计算机（IPC）、网络交换机、路由器、打印机控制器、医疗仪器以及各类嵌入式控制系统中。由于其具备稳定的性能和较长的使用寿命，常被用于需要长期服役且不易更换硬件平台的设备中。
　　在工业自动化领域，该芯片常见于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及数控机床的主控板上，作为程序存储或中间数据缓存使用。其异步接口特性使其易于与8位或16位微处理器（如80C186、MC68332等）直接连接，无需复杂的时序匹配电路，简化了系统设计。
　　此外，在通信设备中，FD1600CV-80可用于帧缓冲、协议处理临时存储等用途。在部分军用或航空航天领域的旧版系统中，由于认证周期长、更新换代缓慢，该型号仍作为备件储备用于设备维护和故障替换。
　　随着技术进步，虽然新设计已不再采用此类FPM DRAM，但在设备维修、逆向工程、博物馆级计算机复原项目以及教学实验平台搭建中，FD1600CV-80仍有实际需求。尤其是在替换损坏内存颗粒或恢复停产设备功能时，该芯片成为关键元器件之一。因此，掌握其电气特性、时序参数及兼容型号对于技术支持人员至关重要。

MT4C1M16KO8TG-8T:L
　　IS42S16100D-8BLI
　　CY7C1019DV33-8ZSXI
　　KM416S1020BT-8