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FCP22N60N 发布时间 时间:2025/5/10 18:28:10 查看 阅读:13

FCP22N60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有高耐压、低导通电阻的特点,适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类电力电子设备中。其最大漏源极电压为600V,持续漏极电流可达2.2A,能够满足多种工业和消费类应用的需求。
  FCP22N60N的设计注重效率与可靠性,在高频开关条件下表现优异,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗并提高系统整体性能。

参数

最大漏源极电压:600V
  持续漏极电流:2.2A
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):15nC(典型值)
  总电容(Ciss):840pF(典型值)
  输出电容(Crss):230pF(典型值)
  输入电容(Ciss):840pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

FCP22N60N的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:支持高达600V的漏源极电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为3.5Ω,有助于降低传导损耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电容,可实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
  4. 高温稳定性:能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
  5. 紧凑封装:采用标准TO-220封装,便于安装和散热设计。
  6. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保长时间使用的稳定性和耐用性。

应用

FCP22N60N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,用于提升电源转换效率。
  2. DC-DC转换器:在降压、升压或反激式拓扑结构中发挥核心作用。
  3. 电机驱动:用于控制直流电机的速度和方向,提供高效的驱动能力。
  4. 工业自动化设备:如变频器、伺服控制器等需要高性能功率开关的应用。
  5. 消费类电子产品:如适配器、充电器等小型化、高效化的电力解决方案。
  6. 照明系统:如LED驱动器中,提供精确的电流调节和保护功能。

替代型号

IRF840, STP22NF60, FDP22N60

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FCP22N60N参数

  • 特色产品FCPF22N60NT Super-Junction SupreMOS? MOSFETs
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SupreMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1950pF @ 100V
  • 功率 - 最大205W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件