时间：2025/9/14 20:39:54
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PSMN2R0-30YL,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效能功率转换应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（@Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：2mΩ（典型值，@VGS=10V）
功耗（Ptot）：80W
封装类型：LFPAK56(E) / Power-SO8
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
阈值电压（VGS(th)）：1.4V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：2600pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：未指定（适用于同步整流）
PSMN2R0-30YL,115 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现出色。
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为 2mΩ，有助于显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用如服务器电源、电动工具和电池管理系统。
其次，该器件采用 LFPAK56(E) 封装，具备优异的热性能和机械稳定性，能够有效散热并提高器件的可靠性，适合在高温环境下运行。
此外，该 MOSFET具有高电流承载能力和良好的雪崩能量耐受性，能够在瞬态过载或短路情况下保持稳定运行，增强了系统的安全性和耐用性。
其栅极驱动电压范围宽广（可达 20V），兼容多种驱动电路设计，同时具备较低的阈值电压，便于实现快速开关操作。
最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子产品对绿色环保的要求。
PSMN2R0-30YL,115 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。
在电源管理系统中，该器件可用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和热插拔控制电路，以提高能效并减少散热设计的复杂度。
在电池供电设备中，例如电动工具、无人机、便携式储能设备和电池管理系统（BMS），该 MOSFET 可用于高电流充放电路径控制，确保系统稳定运行。
此外，该器件也适用于工业自动化、电机驱动、电源模块及服务器电源等高可靠性应用场景。
由于其良好的热管理和导通性能，PSMN2R0-30YL,115 也可用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等。
IRF150PBF, PSMN2R0-30XV
