类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：32 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：7.8 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：9.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 2.5V）：12 mΩ
　　阈值电压（Vth min）：2.0 V
　　阈值电压（Vth max）：3.0 V
　　输入电容（Ciss）：2400 pF
　　输出电容（Coss）：460 pF
　　反向传输电容（Crss）：70 pF
　　总栅极电荷（Qg @ 10V）：32 nC
　　上升时间（tr）：15 ns
　　下降时间（tf）：12 ns
　　工作结温范围：-55 至 +150 °C
　　封装：Power 8x8 DFN (PDFN8)

FCH08U10采用安森美先进的沟槽栅极工艺技术，这种结构能够显著降低导通电阻并提升单位面积下的电流密度，从而在有限的空间内实现更高的效率。其典型的RDS(on)在VGS=10V时仅为7.8mΩ，即便在较低的驱动电压如4.5V或2.5V下也能保持较低的导通损耗，这使得它非常适合用于同步整流、电池管理系统以及需要低压驱动逻辑直接控制的应用场合。
　　该器件具备优异的开关特性，拥有较小的输入、输出和反向传输电容，有助于减少高频工作时的动态损耗，提高整体电源转换效率。此外，其低栅极电荷（Qg=32nC）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低控制器负担并提升系统响应速度。FCH08U10还具备快速的上升和下降时间（分别为15ns和12ns），可有效减少开关过渡过程中的功耗，特别适用于高频PWM控制环境。
　　在热性能方面，Power 8x8 DFN封装不仅体积小巧，而且底部带有裸露焊盘，可以直接连接到PCB的地层进行高效散热，确保长时间运行下的稳定性和可靠性。该器件符合RoHS标准，并具备高抗浪涌能力和良好的雪崩耐受性，能够在瞬态过压条件下维持正常工作而不易损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其能在严苛的工业或汽车环境中可靠运行。

FCH08U10常被用于各类中高功率开关电源系统中，例如服务器电源、电信设备电源模块以及DC-DC降压/升压变换器。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合作为同步整流器使用，替代传统肖特基二极管以提升转换效率。此外，在电池供电设备如笔记本电脑、移动储能电源和电动工具中，该器件可用于电源路径管理和负载开关控制，实现高效的充放电切换与系统节能。
　　在电机驱动领域，FCH08U10可用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于对效率和温升有严格要求的小型化设计。其快速开关能力也使其适用于LED照明驱动电路，特别是在需要调光功能的大功率LED阵列中，能够实现精确的电流调节和低功耗运行。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，该MOSFET可用于继电器替代、电磁阀驱动和车载电源分配单元，提供可靠的固态开关解决方案。其DFN封装的小尺寸特性也使其成为空间受限应用的理想选择，如便携式医疗设备、无人机电源系统和智能家电控制板等。

FDMC8878,FQP8N10L,IPB080N10N3G