SDV1005E180C180NPTF是一款由Sunlord(顺络电子)生产的多层片式陶瓷电感器(MLCI),广泛应用于高频和高Q值要求的射频电路中。该器件属于SDV系列,专为满足现代无线通信设备对小型化、高性能和高可靠性的需求而设计。其尺寸为1.0mm x 0.5mm,符合EIA 0402封装标准,适用于高度集成的便携式电子产品,如智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和Wi-Fi模组等。该电感采用先进的低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制造,具有优异的温度稳定性和频率响应特性,能够在较宽的工作频率范围内保持稳定的电感值和高品质因数(Q值)。
SDV1005E180C180NPTF的命名遵循Sunlord的标准编码规则:'SDV'代表片式电感产品线;'1005'表示外形尺寸为1.0×0.5mm;'E'通常指特定材料或结构类型;'180C'表示标称电感值为18nH,精度等级为±0.1nH的超精密级别;'180N'可能表示额定电流或其他内部参数标识;'PTF'则表明其为无铅、无卤素的环保型产品,适用于回流焊工艺。该器件在高频段(如GHz级别)表现出低损耗、高Q值的特点,特别适合用于阻抗匹配网络、滤波器、振荡器和谐振电路中,有助于提升系统的信号完整性和能效表现。
型号:SDV1005E180C180NPTF
制造商:Sunlord(顺络电子)
封装尺寸:1.0mm x 0.5mm(EIA 0402)
标称电感值:18 nH
电感公差:±0.1 nH
自谐振频率(SRF):典型值 ≥ 6.0 GHz
最大直流电阻(DCR):≤ 320 mΩ
额定电流(Irms):约 35 mA(温升不超过20°C)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-40°C 至 +150°C
Q值(典型):≥ 60 @ 1 GHz
安装方式:表面贴装(SMD)
端子结构:镍阻挡层 + 锡镀层
环保属性:符合RoHS、无卤素、无铅回流焊兼容
SDV1005E180C180NPTF电感器具备出色的高频性能与极高的精度控制能力,是高端射频前端模块中的关键元件之一。其核心优势在于采用了低温共烧陶瓷(LTCC)技术,这种工艺不仅保证了器件在GHz级高频下的低介电损耗和高Q值,还提升了整体的机械强度和热稳定性。由于使用了高纯度陶瓷介质与精密光刻绕线工艺,该电感在18nH的小值电感中实现了±0.1nH的超高精度控制,远高于普通±5%或±2%公差的产品,能够有效减少电路调试时间并提高批量生产的一致性。
该器件在1GHz频率下Q值可达60以上,在接近其自谐振频率(典型6GHz以上)时仍能维持良好的电抗特性,显著降低信号传输过程中的能量损耗,从而提升射频链路的效率与灵敏度。此外,其低直流电阻(DCR ≤ 320mΩ)进一步减少了通流时的发热问题,提高了长期工作的可靠性。得益于其微型化设计(仅1.0×0.5mm),可在空间受限的高密度PCB布局中实现紧凑排列,非常适合用于移动终端内部的射频匹配网络,例如PA输出匹配、LNA输入匹配以及天线调谐电路。
该电感还具有优异的温度稳定性,在-40°C至+125°C宽温范围内电感值漂移极小,确保设备在极端环境下的正常运行。其端子采用镍锡双层电镀结构,增强了焊接可靠性和抗腐蚀能力,支持高速贴片机自动装配,并兼容无铅回流焊工艺(最高耐受260°C峰值温度),符合现代绿色制造标准。整体而言,SDV1005E180C180NPTF是一款面向5G通信、物联网和高频无线连接应用的高性能电感解决方案。
SDV1005E180C180NPTF主要用于高频模拟与射频电路设计中,尤其是在需要精确电感值和高Q特性的场合。典型应用场景包括智能手机中的射频前端模块(RF FEM),用于功率放大器(PA)与天线之间的阻抗匹配网络,以最大化功率传输效率并减少反射损耗。在蓝牙BLE、Zigbee、Wi-Fi 6/6E等短距离无线通信模组中,该电感常用于LC滤波器、谐振回路及巴伦(Balun)电路中,帮助实现频带选择与噪声抑制。
此外,它也被广泛应用于GPS、北斗等卫星导航接收链路中,作为低噪声放大器(LNA)输入端的匹配元件,提升接收灵敏度与信噪比。在毫米波雷达、UWB(超宽带)定位系统以及智能手表、TWS耳机等可穿戴设备中,由于对体积和功耗要求极为严苛,SDV1005E180C180NPTF凭借其微型化封装与高频低损特性成为理想选择。其高精度参数还可用于高阶滤波器设计,如带通滤波器或陷波器,满足复杂电磁环境中对频率选择性的严格要求。同时,该器件也适用于测试测量仪器、高频传感器接口电路以及小型化基站模块等领域。