时间：2025/8/24 20:05:07
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FCH067N65S3_F155是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的高性能N沟道MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的超级结技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化设备中。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：40A（Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：67mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：87nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
漏极电容（Coss）：1200pF（典型值）
FCH067N65S3_F155采用超级结（Super Junction）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频率开关应用中表现出色。该器件的低Rds(on)特性有助于提高效率并减少热量产生，从而提升系统的可靠性和寿命。此外，该MOSFET具有高耐压能力和优异的热稳定性，适用于高温环境下的工作。其高雪崩能量能力确保了在极端条件下仍能保持稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。
该器件广泛应用于各种高功率电子系统中，包括服务器电源、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
FCH067N65S3H_F155, FCH067N65S3_D, FCH067N65S3
