FCH067N65S3_F155是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的高性能N沟道MOSFET,适用于高功率开关应用。该器件采用先进的超级结技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化设备中。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):40A(Tc=100℃)
导通电阻(Rds(on)):67mΩ(最大值)
栅极电荷(Qg):87nC(典型值)
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):300W
漏极电容(Coss):1200pF(典型值)
FCH067N65S3_F155采用超级结(Super Junction)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其在高频率开关应用中表现出色。该器件的低Rds(on)特性有助于提高效率并减少热量产生,从而提升系统的可靠性和寿命。此外,该MOSFET具有高耐压能力和优异的热稳定性,适用于高温环境下的工作。其高雪崩能量能力确保了在极端条件下仍能保持稳定运行,适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。
该器件广泛应用于各种高功率电子系统中,包括服务器电源、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
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