型号：2SK771
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID：7 A
　　脉冲漏极电流IDM：28 A
　　功耗PD：100 W
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.65 Ω（最大值0.85 Ω）
　　阈值电压VGS(th)：2.0 V 至 4.0 V
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220

2SK771的核心特性之一是其高耐压能力，漏源击穿电压高达500V，使其适用于高压开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器和高压DC-DC转换器。这一高电压承受能力确保了器件在瞬态电压波动或负载突变时仍能保持稳定运行，提升了系统的安全性和可靠性。
　　另一个显著特点是其较低的导通电阻RDS(on)，典型值为0.65Ω，在同类N沟道MOSFET中处于较为优越的水平。低RDS(on)意味着在导通状态下功率损耗更小，从而提高了整体能效并减少了发热，这对于需要长时间运行或高负载工作的设备尤为重要。同时，较低的导通损耗也有助于简化散热设计，降低对散热器尺寸的要求，进而减小整体系统体积和成本。
　　2SK771具备良好的开关特性，包括较快的开启和关断速度，这得益于其优化的栅极结构和较低的栅极电荷（Qg）。快速开关能力使其非常适合用于高频开关电路，例如PWM控制和高频逆变器，有助于提升系统响应速度并减少能量损失。此外，该器件具有较高的输入阻抗，栅极驱动所需电流极小，便于与微控制器或其他逻辑电路直接接口，无需复杂的驱动电路。
　　热稳定性方面，2SK771的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下可靠运行。其TO-220封装提供了良好的散热路径，结合适当的PCB布局和散热措施，可有效管理热应力，延长器件寿命。此外，该MOSFET具备一定的抗雪崩能力，能够在电感负载突然断开时吸收感应能量，防止因电压尖峰导致的损坏，进一步增强了系统的鲁棒性。

2SK771常用于多种电力电子和功率控制场合。在开关电源（SMPS）中，它作为主开关元件，负责将直流电压斩波为高频交流信号，随后通过变压器降压和整流滤波输出稳定电压。由于其高耐压和低导通损耗特性，特别适用于AC-DC适配器、LED驱动电源和工业电源模块。
　　在电机控制领域，2SK771可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，尤其是在H桥或半桥拓扑结构中实现正反转和调速功能。其快速开关响应和较高电流承载能力能够满足电机启动和动态调速的需求。
　　此外，该器件也适用于逆变器系统，如UPS不间断电源或太阳能逆变器中的DC-AC转换环节，负责将直流电转换为交流电输出。在这些应用中，2SK771的高效率和高可靠性有助于提高整个系统的能源利用率和运行稳定性。
　　在照明控制系统中，尤其是大功率LED调光应用中，2SK771可用于PWM调光电路，精确控制LED亮度，同时保持较高的光电转换效率。其良好的热性能也能应对长时间点亮带来的热量积累问题。
　　其他应用还包括电焊机、电磁阀驱动、继电器替代电路以及各种需要高压、中功率开关功能的工业自动化设备。凭借其成熟的技术和稳定的供货，2SK771在多个行业领域中持续发挥重要作用。

2SK772, 2SK1058, 2SK1529, STP7NK50ZFP, FQP7N50