类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大正向电流（IF）：60mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压降（VF）：0.47V @ 60mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 20V
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复型，典型值<10ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：HMSM8（超小型表面贴装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：1
　　热阻（Rth(j-a)）：约600°C/W（依PCB布局而异）
　　高度：约0.55mm
　　RoHS合规性：符合

BM16B-GHDS-TF(LF)(SN) 具备出色的低正向导通电压特性，典型值仅为0.47V，在60mA工作电流下显著降低功率损耗，提升系统整体能效。这一优势使其在电池供电设备中尤为重要，例如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，能够有效延长续航时间。此外，由于采用肖特基势垒结构，该二极管不存在少子存储效应，因而具备极快的开关速度，反向恢复时间通常小于10纳秒，适用于高频开关电源环境，避免了传统PN结二极管在快速切换过程中产生的较大反向恢复电流尖峰，从而减少电磁干扰（EMI）和开关应力，提高电源转换效率。
　　该器件的反向漏电流控制在极低水平，在20V反向电压下最大仅为1μA，确保在待机或轻载状态下不会产生显著的能量浪费，进一步优化了系统的静态功耗表现。尽管其额定电流较小（60mA），但能承受高达500mA的瞬态脉冲电流，具备一定的浪涌耐受能力，增强了在复杂电环境下的运行可靠性。BM16B-GHDS-TF(LF)(SN) 采用 HMSM8 小型封装，尺寸极为紧凑，典型尺寸约为 1.0mm × 0.6mm × 0.55mm，非常适合空间受限的高集成度印刷电路板设计，同时支持回流焊工艺，适应现代自动化生产线的需求。
　　热性能方面，该器件能够在结温 -40°C 至 +125°C 范围内稳定工作，满足大多数工业与消费类应用的温度要求。其热阻较高（约600°C/W），因此在实际应用中需注意 PCB 散热设计，适当增加铜箔面积以改善散热效果。此外，该产品通过 AEC-Q101 可靠性认证的可能性较低（因其为通用型而非车规级），但仍具备良好的湿度敏感等级（MSL1 或 MSL2），适合长期存储和多次回流焊接。ROHM 在制造过程中严格控制金属接触界面和芯片钝化层质量，提升了器件的长期稳定性和抗老化能力。

BM16B-GHDS-TF(LF)(SN) 主要应用于对空间和功耗有严格要求的小信号整流与保护电路中。常见用途包括便携式电子设备中的 DC-DC 升压或降压转换器的同步整流替代方案，作为续流二极管防止电感反电动势损坏开关管，在 LED 驱动电路中实现电流单向导通控制。此外，它也广泛用于 USB 接口电源路径管理、锂电池充放电保护电路中的防反接功能，以及各类传感器模块的电源隔离单元。
　　在通信设备中，该二极管可用于 RF 前端电路的信号检波或偏置电压提取，得益于其低结电容和快速响应特性，不会对高频信号造成明显衰减。在工业控制领域，常被集成于 PLC 模块、智能仪表和无线传感节点中，执行电平钳位、电压隔离和瞬态抑制等功能。由于其小型化封装，特别适合用于 TWS 耳机、智能手环、电子标签等极致微型化的电子产品中。此外，在 FPGA 或 MCU 的 I/O 保护电路中，也可利用其低 VF 特性实现高效的信号整形与过压箝位，防止静电或误操作导致芯片损坏。总体而言，该器件适用于所有需要高效、小型、低功耗二极管解决方案的应用场景。

RB751V-40