时间：2025/9/22 19:27:26
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FBR53ND10-Y-HW是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能电源管理应用设计。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等多种应用场景。其封装形式为DFN5x6（双面散热），有助于提高散热效率并节省PCB空间，特别适合对尺寸和能效要求较高的现代电子设备。FBR53ND10-Y-HW在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了系统整体效率。此外，该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力和抗反向恢复电荷特性，增强了在严苛工作环境下的可靠性。产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其适用于汽车电子等高可靠性要求的应用场景。
型号：FBR53ND10-Y-HW
制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID) @25°C：78A
脉冲漏极电流(IDM)：310A
导通电阻(RDS(on)) @10V VGS：5.3mΩ
导通电阻(RDS(on)) @4.5V VGS：6.8mΩ
阈值电压(Vth) 典型值：2.2V
输入电容(Ciss) @1MHz：4090pF
输出电容(Coss)：1180pF
反向恢复时间(trr)：26ns
最大功耗(PD) @25°C：250W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
封装类型：DFN5x6 (双面散热)
FBR53ND10-Y-HW采用AOS先进的TrenchFET工艺制造，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为5.3mΩ，有效降低了导通损耗，提高了电源系统的转换效率。这种低RDS(on)特性对于大电流应用尤为重要，例如服务器电源、电动工具和电动汽车中的DC-DC变换器，能够在高负载条件下显著减少发热，提升系统稳定性。
该器件具有优异的开关性能，得益于其优化的栅极结构设计，输入电容Ciss为4090pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗。同时，输出电容Coss为1180pF，有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升整体能效。反向恢复时间trr仅为26ns，说明体二极管具有快速恢复能力，这对于防止桥式电路中出现直通电流、降低电磁干扰（EMI）至关重要。
FBR53ND10-Y-HW的DFN5x6封装支持双面散热，能够通过PCB和顶部焊盘同时进行热量传导，极大增强了热管理能力。相比传统封装，这种设计可在有限空间内实现更高的功率密度，非常适合紧凑型高功率设计。此外，该封装无引脚设计也减少了寄生电感，有利于高速开关操作。
该MOSFET具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），确保其在极端温度环境下仍能稳定运行。它还通过了AEC-Q101认证，满足汽车行业对可靠性和耐久性的严格要求，可用于车载充电器、DC-DC转换模块和电池管理系统等关键部件。综合来看，FBR53ND10-Y-HW凭借其高性能、高可靠性和先进封装技术，成为中高压功率应用的理想选择。
FBR53ND10-Y-HW广泛应用于需要高效能和高功率密度的电源系统中。典型应用包括但不限于：服务器和通信设备中的同步降压转换器，用于为CPU、GPU和其他数字IC提供稳定的低压大电流供电；在电动汽车和混合动力汽车的车载充电机（OBC）及DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流元件，实现高效的能量转换；工业电机驱动系统中用作功率开关，控制电机的启停与调速；太阳能逆变器和储能系统中参与直流斩波与逆变环节，提升能源利用率；此外，还可用于笔记本电脑适配器、高端消费类电子产品中的负载开关和热插拔电路，以实现快速响应和低功耗待机功能。由于其具备AEC-Q101车规认证，特别适合部署在汽车电子环境中，如ADAS系统、电动助力转向（EPS）和车载信息娱乐系统等。其高电流承载能力和优良热性能使其在长时间高负载运行下依然保持稳定，是现代高效率电源架构中的关键组件之一。
AOTF13L10P,AOZ5233NQI
