时间：2025/6/11 20:52:52
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THGBM5G6A2JBAIR 是一款由 SK Hynix 生产的 3D NAND 闪存芯片，采用 TLC（Triple-Level Cell）技术。该芯片主要应用于存储设备中，例如固态硬盘 (SSD) 和嵌入式存储解决方案。这款芯片以其高容量、高性能和低功耗而著称，支持多种数据密集型应用需求。
容量：512GB
接口：Toggle DDR 4.8V
封装形式：BGA
I/O速度：1200 MT/s
擦写寿命：约 3000 次
工作温度：-25°C 至 +85°C
尺寸：11.5mm x 13mm x 1.2mm
THGBM5G6A2JBAIR 采用了先进的 96 层 3D NAND 技术，提供更高的存储密度和更快的数据传输速度。
该芯片具备低功耗设计，非常适合移动设备和对能效要求较高的场景。
支持高级 ECC（纠错码）算法，能够显著提升数据完整性和可靠性。
通过优化的架构设计，大幅降低了延迟并提高了随机读写性能。
具备强大的耐用性，适合需要频繁写入的应用环境，例如监控录像、工业自动化等。
THGBM5G6A2JBAIR 广泛应用于消费级和企业级 SSD 中，为个人电脑、服务器和数据中心提供大容量存储解决方案。
此外，它还适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的嵌入式存储。
在工业领域，这款芯片可用于数据记录器、医疗设备和物联网终端设备的存储模块。
其高可靠性和耐用性也使其成为车载存储的理想选择，尤其是在需要长时间连续运行的情况下。
TH5UK5G8AMHBA, TH5UK5G8AHFBA
