类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：300V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

FBM60N30 功率 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）值，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其最大漏极电流为 60A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率密度设计。此外，该器件的漏源击穿电压为 300V，具备良好的耐压能力，可在高压环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和 PWM 控制器。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件寿命并提高可靠性。此外，FBM60N30 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，兼容多种栅极驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　在热性能方面，该器件具有较低的热阻（RθJC），可有效将热量从芯片传导到散热器，从而降低结温，提升长期运行稳定性。这些特性使得 FBM60N30 成为工业电源、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等高功率应用中的理想选择。

FBM60N30 广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可用于主开关器件，实现高效的能量转换。在电机驱动器中，它可用于 H 桥结构，实现电机正反转和调速控制。此外，该器件也常用于 UPS 系统、太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）中，用于高功率开关控制。
　　由于其良好的导通特性和热稳定性，FBM60N30 也适用于负载开关、电源管理模块和功率因数校正（PFC）电路。在工业自动化和自动化控制设备中，该 MOSFET 可作为固态继电器的替代方案，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。同时，该器件也可用于焊接设备、电镀电源和高频感应加热系统等高功率应用场合。

FQA60N30, IRF60N30, STP60N30