类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极-源极电压(VDS)：500V
　　最大漏极电流(ID)：13A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.38Ω（最大值0.47Ω）
　　栅极-源极电压(VGS)：±30V
　　最大功耗(PD)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷(Qg)：约52nC
　　漏极-源极击穿电压(BVDS)：500V
　　漏电流(IDSS)：≤10μA（在25°C）

FAQ13N50C具备多项优异的电气和热性能。其高耐压能力使其适用于500V高压电路环境，能够承受较高的瞬态电压冲击。低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，从而提高了能效并降低了发热。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，使其在高频开关电源应用中表现出色，同时减少了开关过程中的能量损耗。FAQ13N50C还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适用于工业级和高性能电源系统。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于用户进行PCB布局和安装。此外，该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高能量负载下的可靠性。

FAQ13N50C常用于各类高电压、高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、照明镇流器、逆变器以及工业控制设备等。由于其良好的电气性能和热稳定性，它特别适用于需要高效能、高可靠性的电源管理场景。例如，在服务器电源、工业电源、LED驱动电源、光伏逆变器以及家电电源模块中，FAQ13N50C都能发挥出色的性能。此外，该MOSFET也可用于电池充电器、UPS不间断电源系统以及高频变压器驱动电路中。

FQA13N50C, IRFBC40, FQP13N50C, STP13N50K, TK13A50D