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FALXT821TC.B1 发布时间 时间:2025/12/26 16:47:24 查看 阅读:20

FALXT821TC.B1 是一款由 Fairchild Semiconductor(现属于 onsemi)生产的光耦合器(光电耦合器),广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件内部包含一个砷化镓红外发光二极管和一个集成的光探测器,能够在输入和输出之间提供良好的电隔离性能,同时传输数字信号。FALXT821TC.B1 属于晶体管输出型光耦,具有较高的电流传输比(CTR),适用于多种工业控制、电源管理和通信接口场景。该器件采用紧凑的4引脚DIP(双列直插)封装,符合行业标准的6脚或4脚光耦尺寸规范,便于在PCB上布局和自动化装配。其设计目标是实现高可靠性、长寿命以及对噪声和电磁干扰的强抗扰能力。由于其优异的隔离特性,FALXT821TC.B1 常被用于开关电源反馈回路、微控制器与高电压设备之间的信号隔离、PLC输入模块、逆变器控制系统等关键应用场合。

参数

类型:晶体管输出光耦
  通道数:1
  封装类型:DIP-4
  隔离电压:5000 VRMS
  工作温度范围:-55°C ~ 110°C
  最大集电极-发射极电压:35 V
  最大发射极-集电极电压:7 V
  最大集电极电流:50 mA
  正向电压(VF):典型值 1.2 V
  电流传输比(CTR):50% ~ 600%
  响应时间:上升/下降时间 ≤ 3 μs
  绝缘电阻:≥ 10^11 Ω
  

特性

该光耦合器具备出色的电气隔离能力,其隔离电压高达5000 VRMS,能够有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏,保障系统安全运行。这种高隔离性能使其非常适合用于医疗设备、工业自动化和电力监控系统等对安全性要求极高的应用环境。
  器件的电流传输比(CTR)范围宽广,典型值在50%至600%之间,意味着即使在输入电流较小的情况下也能驱动输出端的负载,提高了系统的能效并降低了驱动电路的设计难度。此外,较宽的CTR范围也增强了产品在不同工作条件下的适应性。
  FALXT821TC.B1 具有良好的温度稳定性,在-55°C到110°C的宽温范围内均可稳定工作,适合极端环境下的长期运行。其内部LED和探测器经过优化匹配,确保了长时间使用下的性能一致性与可靠性。
  响应速度快,上升和下降时间均不超过3微秒,支持中高速信号传输,可用于PWM控制、数字信号隔离等场景。相比传统光耦,它在保持低成本的同时提升了动态响应性能。
  采用DIP-4封装,引脚间距符合标准,便于手工焊接和自动贴装,兼容通孔和表面贴装工艺。该封装还提供了足够的爬电距离和电气间隙,进一步增强了安全隔离能力。
  该器件通过了UL、CSA、VDE等多个国际安全认证,符合RoHS环保标准,适用于出口型电子产品和高可靠性工业设备。其长寿命和低老化率保证了系统在整个生命周期内的稳定运行。

应用

广泛应用于开关电源中的反馈控制回路,用于隔离初级侧与次级侧之间的信号传输,提高电源的安全性和稳定性。在可编程逻辑控制器(PLC)中作为数字输入模块的核心元件,实现现场传感器信号与内部逻辑电路的电气隔离。
  用于逆变器、UPS不间断电源和电机驱动系统中,隔离控制信号与高功率驱动电路,防止噪声串扰和电压冲击影响主控芯片。
  在通信接口电路中,如RS-485、CAN总线等,用作信号隔离器件,提升系统的抗共模干扰能力和通信可靠性。
  适用于工业自动化设备、智能电表、医疗电子设备以及各类需要电气隔离的嵌入式控制系统。也可用于微处理器系统的I/O隔离,保护核心控制器免受外部异常电压的影响。

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