时间：2025/6/12 18:20:19
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GA1206A822FBBBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在提供高效率的同时保持了较低的导通电阻和快速的开关速度，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
该型号具有出色的热性能和电气特性，适合在紧凑型设计中使用，并能够承受较高的电压和电流负载。
类型：MOSFET
封装：TOLL
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻）：8.2mΩ
Id（持续漏极电流）：57A
Qg（栅极电荷）：49nC
Ciss（输入电容）：2240pF
Vgs(th)（阈值电压）：2.8V
Ptot（总功耗）：260W
Tj（结温范围）：-55℃ 至 +175℃
GA1206A822FBBBT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高频条件下显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷 Qg，有助于提高系统效率并减少开关损耗。
3. 高额定电压和电流能力，使其适用于多种功率级应用。
4. TOLL 封装形式支持高效的散热性能，同时具备焊接后视觉检查的优势。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使得该器件成为许多现代功率电子设计的理想选择。
GA1206A822FBBBT31G 可应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统，如电池管理系统 (BMS) 和车载充电器 (OBC)。
4. 高效负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
其卓越的性能和可靠性确保了在各种严苛环境下的稳定运行。
GA1206A822FBBBT21G
