时间：2025/7/29 22:29:40
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AKY5F32347YG是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，适用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（PD）：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：LFPAK56（表面贴装）
AKY5F32347YG具有多个关键特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，提供快速的开关速度和较低的栅极电荷，从而降低了开关损耗并提高了响应速度。
其次，该器件的封装设计（LFPAK56）支持高电流承载能力，同时具备优异的热性能，有助于散热并提升器件在高负载条件下的稳定性。该封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高PCB空间利用率。
此外，AKY5F32347YG具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在苛刻的工作条件下稳定运行，适合工业、汽车电子等高要求应用。
该MOSFET广泛应用于多种电源管理系统，包括但不限于同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电动工具和电源模块设计等。由于其高可靠性和优异的电气性能，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。
TKA120N30Z,TKA120N30K3,TN070N30K3
