时间：2025/12/27 8:03:32
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F5N50G-TN3-R是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟道技术设计，专为高效率、高密度电源转换应用而优化。该器件封装在小型化的DFN2020封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限且对能效要求较高的便携式电子产品和电源管理系统。F5N50G-TN3-R广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及电机驱动等场景。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，在工业、消费类电子及通信设备中均有广泛应用。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于与控制器直接接口，减少外围元件数量，提升系统集成度。此外，该MOSFET还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性，适合在复杂电磁环境中稳定运行。
型号：F5N50G-TN3-R
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：50V
最大连续漏极电流（Id）：5.8A @ 25°C
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs=10V, Id=3A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：1.6W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN2020
F5N50G-TN3-R采用先进的Trench沟道工艺制造，这一技术通过在硅片上构建垂直导电通道，显著降低了单位面积的导通电阻，从而提升了器件的整体效率。其低Rds(on)特性使得在大电流工作条件下产生的导通损耗大幅降低，有助于提高电源系统的整体能效并减少散热需求。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为24mΩ，在Vgs=4.5V时也仅30mΩ，表明其在中等栅极驱动电压下仍能保持优异的导通性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。
该MOSFET的DFN2020封装不仅体积小巧（2.0mm x 2.0mm），而且底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，提升散热效率，从而允许器件在较高功率下持续运行。这种封装形式非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的产品。
器件具备快速开关能力，输入和输出电容较小，栅极电荷（Qg）低，这减少了开关过程中的能量损耗，提高了高频工作的可行性。同时，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，增强在高dv/dt环境下的抗干扰能力，避免误触发。
此外，F5N50G-TN3-R具有良好的热稳定性与长期可靠性，经过严格的生产测试和质量控制流程，确保在各种工作条件下均能稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境温度下正常工作，适用于工业级应用需求。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，可在同步整流等拓扑中发挥作用。
F5N50G-TN3-R广泛应用于多种中小型功率电子系统中。在DC-DC降压变换器中，常作为同步整流管使用，利用其低导通电阻来降低功率损耗，提高转换效率。在负载开关电路中，该器件用于控制电源路径的通断，实现对下游电路的上电管理和节能控制，常见于电池供电设备中以延长续航时间。此外，它也可用于电池充放电管理模块，作为充放电通路的主控开关，确保电流单向流动并防止反向充电。
在电机驱动应用中，F5N50G-TN3-R可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路中，提供快速响应和高效控制。由于其封装尺寸小、热性能好，特别适合无人机、智能家电、电动工具等紧凑型设备中的电机控制单元。
在热插拔电路和电源多路复用系统中，该MOSFET可作为理想二极管使用，替代传统肖特基二极管，实现更低的正向压降和更高的能效。其快速响应特性也有助于抑制浪涌电流，保护后级电路安全。
此外，该器件还适用于各类适配器、移动电源、LED驱动电源等消费类电子产品中的功率开关环节，凭借其高性价比和稳定性能，成为众多工程师在中低压功率开关设计中的优选方案之一。
FDMN5670S085
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