时间：2025/9/14 12:16:26
阅读：15
PHK04P02T,518 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双N沟道增强型MOSFET，采用DFN2020-6（SOT1220）封装，适用于高效能、小型化电源管理应用。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
沟道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：0.6A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：最大值1.2Ω（VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN2020-6（SOT1220）
PHK04P02T,518 是一款高集成度的双N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻和小型封装的特点，适用于空间受限的设计。其双N沟道结构允许在两个独立通道中进行高效的电源控制，支持快速开关操作，降低了开关损耗。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提供了良好的稳定性和可靠性。在高温环境下仍能保持稳定的性能表现，适用于工业控制、便携式设备和DC-DC转换器等应用。
该器件的DFN2020-6封装具有低热阻特性，有助于提高散热效率，确保在高负载条件下的稳定运行。PHK04P02T,518 的设计优化了高频应用中的性能，使其成为替代传统分立MOSFET的理想选择。由于其高集成度和小尺寸，该器件可有效减少PCB空间占用，提高系统设计的灵活性。
PHK04P02T,518 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效电源管理和空间限制严格的设计中。典型应用包括便携式电子产品、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。由于其双N沟道结构和低导通电阻特性，该器件也适用于需要快速开关响应的电源管理模块。
PHK04P02T,115; PHK04P02T,318; PHK04P02T,215
