PDZ6.2BZ 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压应用。该器件的齐纳电压为6.2V,具有较高的稳定性和可靠性,适用于各种模拟电路和电源管理系统。PDZ6.2BZ 采用小型SOD323封装,适合在空间受限的PCB设计中使用。
齐纳电压(Vz):6.2V
齐纳电流(Iz):5mA
最大耗散功率(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOD323
PDZ6.2BZ 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性。其齐纳电压为6.2V,在额定电流下能够提供稳定的电压基准。该器件的动态电阻较低,能够有效减少电压波动,提高电路的稳定性。PDZ6.2BZ 的最大耗散功率为300mW,能够在中等功率条件下安全运行。其工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,适用于各种工业和消费类电子产品。该器件采用SOD323封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。此外,PDZ6.2BZ 具有良好的温度系数,在不同温度条件下仍能保持较高的电压精度,适合用于高精度的电压调节场合。
PDZ6.2BZ 的制造工艺采用了NXP先进的硅半导体技术,确保了其在长期运行中的可靠性和耐用性。该齐纳二极管具有较低的反向漏电流,在非工作状态下对电路的功耗影响极小。同时,其快速响应特性使其在电压瞬态变化时能够迅速进入稳压状态,保护后级电路免受电压波动的影响。
PDZ6.2BZ 主要用于需要稳定6.2V电压基准的电子电路中。在模拟电路设计中,该器件常用于参考电压源、电压调节器和比较器电路中,为运算放大器、ADC/DAC转换器等提供稳定的参考电压。在电源管理系统中,PDZ6.2BZ 可作为过压保护元件,确保关键电路在异常电压条件下不会损坏。此外,该器件也广泛应用于电池管理系统、传感器接口电路、仪表测量设备以及工业控制系统中。由于其小型SOD323封装,特别适合用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求较高的应用场景。
BZX84C6V2, MMSZ5234B, 1N4735A