F4702BPC 时间：2025/8/24 19:40:24 阅读：18

F4702BPC是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池供电设备等多种应用场景。F4702BPC采用TO-220AB封装，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值）
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

F4702BPC具备低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。该器件的高电流能力使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，可与多种驱动电路兼容。F4702BPC的快速开关特性可减少开关损耗，提升系统性能。该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。此外，其封装设计具有良好的散热能力，有助于维持器件的稳定性和延长使用寿命。F4702BPC还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。