类型：FPM DRAM
　　存储容量：4 Mbit
　　组织结构：256K × 16
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：10 ns
　　封装形式：54-pin TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms（典型值）
　　数据输入/输出方式：三态输出
　　地址复用方式：行地址与列地址分时复用
　　最大工作频率：约33 MHz（取决于CAS延迟）
　　功耗：典型静态电流 5 mA，动态电流随频率变化

M5M44256BVP-10具备多项关键技术特性，使其在FPM DRAM时代成为广泛应用的存储解决方案之一。首先，其10纳秒的快速存取时间确保了在高速处理器系统中能够实现高效的数据读写响应，尤其适用于早期386、486及Pentium级CPU平台的主内存配置。这种低延迟特性得益于优化的内部阵列结构和先进的CMOS制造工艺，能够在保证高集成度的同时降低信号传播延迟。
　　其次，该芯片支持标准的页模式（Fast Page Mode）操作，允许在固定行地址下连续访问多个列地址，从而显著提高突发数据传输效率。相比普通随机访问模式，页模式可减少重复发送行地址的时间开销，提升整体带宽利用率。这一特性特别适用于图形显示缓存、批量数据处理等场景。
　　再者，M5M44256BVP-10采用地址复用技术，通过同一组引脚分时传输行地址和列地址，有效减少了封装引脚数量，降低了系统布线复杂度和成本。结合54引脚TSOP封装，使得该器件非常适合空间受限的应用环境，并提高了PCB布局的灵活性。
　　此外，该器件具备良好的电气兼容性和抗干扰能力，支持TTL电平接口，易于与多种逻辑电路连接。其内置的片上刷新控制逻辑简化了外部控制器的设计负担，同时提供可靠的自刷新待机模式以降低功耗。虽然不支持现代同步时钟接口，但在异步总线系统中仍能稳定运行，展现出优异的系统匹配性与长期可用性。
　　最后，富士通在制造过程中采用了严格的品质控制标准，确保器件在工业级温度范围内长期稳定工作，增强了其在恶劣环境下的耐久性与可靠性。这些综合特性使M5M44256BVP-10在当时成为许多嵌入式系统和工控设备的首选内存方案。

M5M44256BVP-10主要应用于上世纪90年代至2000年代初期的各类电子系统中，尤其是在需要中等容量、高可靠性的异步内存架构场合。一个典型应用是作为个人计算机（如基于Intel 80486或早期Pentium处理器）的主内存模块组件，用于构建SIMM或DIMM内存条，满足操作系统和应用程序运行时的数据存储需求。由于其10ns的快速访问速度和稳定的5V接口，能够很好地匹配当时主流北桥芯片组的内存控制器时序要求。
　　在工业自动化领域，该芯片被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、数控机床（CNC）等设备中，作为程序缓冲区或实时数据暂存空间。其高稳定性和长期供货历史使其成为工业设备制造商信赖的选择。此外，在通信设备中，如路由器、交换机和基站控制单元，M5M44256BVP-10也被用作帧缓存或协议处理中间存储，保障数据包的快速转发与处理。
　　在嵌入式系统方面，该DRAM常用于打印机、复印机、POS终端等消费类电子产品中，支持图像渲染、文档缓存和用户交互功能。其256K×16位的数据宽度适合并行处理器架构，便于直接连接到16位微处理器或DSP芯片，减少数据总线扩展的复杂性。
　　尽管目前已基本被SDRAM和后续技术取代，但在设备维修、备件替换和老旧系统维护中，M5M44256BVP-10仍然具有重要价值。特别是在军工、航空电子和铁路信号系统等对元器件寿命和长期可用性有严格要求的领域，该型号仍可能出现在库存清单或技术文档中，作为关键部件进行替换或兼容设计参考。