类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω
　　栅极电荷：32nC
　　功耗：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　晶体管配置：单管

SK3C0C-TR MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），仅为 0.035Ω，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要，可以有效减少功率损耗和热量产生。
　　此外，该器件的最大漏极电流为 30A，漏源电压额定值为 60V，使其适用于多种中等功率的电源转换应用。SK3C0C-TR 的栅极电荷为 32nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的能效。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境下的应用。
　　SK3C0C-TR 的最大功耗为 100W，能够在较高功率条件下保持良好的性能。这种高功率处理能力使其成为电源适配器、DC-DC 转换器、马达控制器以及电池管理系统等应用的理想选择。
　　从制造工艺来看，该 MOSFET 使用了先进的硅基技术，确保了器件在高频率工作时仍具有良好的稳定性和效率。同时，其内部结构设计优化了电场分布，提高了器件的耐用性和寿命。

SK3C0C-TR MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、负载开关、马达控制电路、电池充电器和工业自动化设备等。其优异的性能和可靠性也使其成为新能源汽车、太阳能逆变器以及储能系统中的关键组件之一。在电池管理系统中，SK3C0C-TR 可用于实现高效的充放电控制，确保电池组的安全运行和能量利用效率。在电机驱动应用中，该器件能够提供稳定的高电流输出，满足不同负载条件下的需求。

IRFZ44N, SK30C0C-TR, FDP30N06LS, FQA30N60