F2P02 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具备优异的导通电阻和开关性能,适用于各类电源转换器、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等。F2P02 采用常见的8引脚封装形式,具有良好的热稳定性和电气性能,能够满足工业级和消费级产品的应用需求。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ @ Vgs=4.5V;50mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:8引脚SOIC
F2P02 MOSFET 具备多项优异特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。在Vgs=4.5V时,Rds(on)低至35mΩ,即使在较低的栅极驱动电压(如2.5V)下,Rds(on)仍保持在可接受的50mΩ范围内,适合低电压驱动电路应用。
其次,F2P02 支持高达4A的连续漏极电流,能够满足中高功率应用场景的需求。该器件的漏源电压为20V,适用于多种电源转换电路,如同步整流器、负载开关和电池管理系统等。
F2P02 MOSFET 主要应用于各类电源管理系统和功率开关电路中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机驱动电路等。在DC-DC转换器中,F2P02 可作为高侧或低侧开关,实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性,该器件能够有效减少功率损耗,提高转换效率。
Si2302DS, FDN340P, AO3400A