F2807S 时间：2025/12/26 20:40:36 阅读：10

F2807S是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，能够在较低的导通电阻下实现较高的电流承载能力，从而有效降低系统功耗并提升整体能效。F2807S特别适用于需要紧凑设计和高效热管理的工业、消费类及通信设备中。其封装形式为DPAK（TO-252），便于在印刷电路板上进行焊接与散热处理，适合通孔或表面贴装工艺。由于具备优良的雪崩能量耐受能力和可靠的栅极氧化层设计，F2807S在瞬态负载变化和恶劣工作环境下仍能保持稳定性能，是现代中等功率应用中的理想选择之一。

参数

型号：F2807S
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：75V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：36A
　　脉冲漏极电流Idm：140A
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：7.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：10.5mΩ
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：3020pF @ Vds=25V
　　输出电容Coss：950pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间trr：32ns
　　最大功耗Pd：125W @ Tc=25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：DPAK (TO-252)

特性

F2807S采用了安森美的先进TrenchMOS工艺技术，这种结构通过优化沟道设计和降低寄生效应，显著提升了器件的导电性能和开关速度。其超低的导通电阻Rds(on)确保了在大电流条件下仍能保持较小的功率损耗，有助于提高电源系统的整体效率。例如，在同步整流或电池供电系统中，低Rds(on)意味着更少的能量以热量形式散失，从而延长设备运行时间和减少冷却需求。
　　该器件具有良好的热稳定性，得益于DPAK封装优异的热传导性能，能够将芯片产生的热量快速传递至PCB或外部散热器，防止局部过热导致的性能下降或失效。此外，F2807S具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发电压尖峰或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　其栅极电荷Qg较低，典型值约为60nC（@Vgs=10V），这使得驱动电路所需的驱动功率较小，适用于高频开关应用如DC-DC变换器和PWM控制器驱动。同时，输入电容和输出电容的匹配良好，有利于减少开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI）。
　　器件还具备较强的抗浪涌电流能力，可承受高达140A的脉冲漏极电流，适用于启动电流较大的电机控制或电源软启动阶段。阈值电压范围适中，保证了在不同温度和电压条件下都能可靠开启，避免误触发或延迟导通的问题。综合来看，F2807S在效率、可靠性与成本之间取得了良好平衡，适合多种中高功率应用场景。

应用

F2807S常用于各类开关电源拓扑结构中，如降压（Buck）、升压（Boost）以及反激式（Flyback）转换器，作为主开关或同步整流元件使用。在工业自动化设备中，它可用于驱动直流电机、步进电机或继电器等感性负载，凭借其快速开关响应和高电流承载能力，实现精确的功率控制。
　　在通信电源系统中，F2807S被广泛应用于服务器、基站和网络交换机的DC-DC模块，提供高效的电压转换方案。其低导通损耗特性有助于满足现代通信设备对高能效和小型化的要求。
　　此外，该器件也适用于电动工具、无人机、便携式医疗设备和LED驱动电源等消费类电子产品，尤其在电池管理系统（BMS）中作为充放电控制开关，表现出色。其宽泛的工作温度范围使其能在极端环境条件下稳定运行，例如高温车间或寒冷户外场所。
　　在汽车电子领域，虽然F2807S并非专为车规级设计，但在部分辅助电源系统或车载充电器中仍有应用潜力，尤其是在非安全关键路径中。总之，F2807S凭借其高性能参数和成熟的技术平台，已成为众多中等功率电力电子系统中的核心组件之一。