类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A @ 25°C
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻(Rds On)：典型值 2.7mΩ
　　阈值电压(Vgs(th))：2.5V ~ 4.5V
　　最大工作频率：1MHz

SDP137HV2MD 具备一系列高性能特性，首先是其出色的导通性能，低导通电阻（Rds On）仅为 2.7mΩ，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。其次，该器件能够在高达 100V 的漏源电压下稳定运行，并且能够承受较大的连续漏极电流（180A），非常适合需要处理高电压和大电流的应用场景。
　　此外，SDP137HV2MD 还具备良好的热稳定性与散热能力，得益于其 TO-247 封装设计，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也便于安装散热片以进一步提升散热效果。
　　该 MOSFET 支持高达 1MHz 的工作频率，适合用于高频开关电路中，如同步整流器、DC-DC 转换器和逆变器等。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其能够在严苛的工业环境和高温条件下可靠运行。
　　SDP137HV2MD 还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在瞬态过压或短路情况下提供更高的耐用性和可靠性。这些特性使其成为许多高性能电力电子设备的理想选择。

SDP137HV2MD 广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能功率转换和管理的场合。例如，在电源供应器中，它可以作为主开关元件用于 Boost 或 Buck 转换器拓扑结构，实现高效的直流电压变换；在电机驱动器中，该 MOSFET 可用于构建 H 桥电路，实现对直流电机或步进电机的双向控制。
　　此外，SDP137HV2MD 还适用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及电动工具中的功率控制模块。由于其高频操作能力，它也常用于无线充电系统和感应加热设备中。
　　该器件还被广泛用于电信基础设施设备中的 DC-DC 转换器，为通信设备提供稳定的低压高电流输出。同时，其优异的热管理和抗冲击能力使其在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等。

STP137N10F7AG, FDP137HV2MD, IPW137N10ND