F2215UTE16V 时间：2025/9/6 21:55:12 阅读：10

F2215UTE16V 是一款由 Fuji Electric 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，例如在 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统和开关电源中。其封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A
　　导通电阻（RDS(on)）：16 mΩ @ VGS = 10 V
　　功率耗散（PD）：80 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

F2215UTE16V 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)）为 16 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。它采用了 Fuji Electric 的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电场分布，从而实现了更高的击穿电压和更低的开关损耗。
　　此外，该器件具有高耐雪崩能力，增强了在高能脉冲负载下的稳定性与可靠性。它的封装设计具备良好的热管理能力，使得在高电流工作条件下也能维持较低的结温，延长器件使用寿命。
　　F2215UTE16V 还具备较快的开关速度，适用于高频开关电源设计，同时其栅极驱动电压范围较宽（±20 V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。

应用

F2215UTE16V 广泛应用于各种高功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在服务器电源、DC-DC 转换器、电动工具、工业电机驱动器和电池管理系统中，F2215UTE16V 都能发挥出色的性能。
　　其低导通电阻和高电流承载能力，使其成为用于同步整流器、负载开关以及高效率电源模块的理想选择。此外，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、48V 轻混动力系统和电池保护电路等，满足汽车工业对高可靠性和高稳定性的严格要求。
　　由于其良好的热性能和封装设计，F2215UTE16V 在紧凑型电源系统中具有显著优势，能够有效减少散热器尺寸，提高整体功率密度。