211CC2S4160P是一款高性能的陶瓷电容器,主要用于射频和微波电路中的信号耦合、滤波以及阻抗匹配。该器件采用了多层陶瓷技术制造,具有低ESR(等效串联电阻)、高Q值(品质因数)以及良好的频率稳定性,适用于高频应用环境。
这种电容器在通信设备、雷达系统、卫星通信以及其他需要高频性能的电子设备中广泛应用。由于其优异的电气特性和机械稳定性,它能够在苛刻的工作条件下保持稳定的性能。
型号:211CC2S4160P
类型:多层陶瓷电容器 (MLCC)
电容量:16pF
额定电压:50V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:表面贴装 (SMD)
尺寸:0805英寸
介质材料:C0G/NP0
损耗角正切:≤0.001
绝缘电阻:≥10,000MΩ
211CC2S4
1. 高Q值设计使其在高频下表现出极低的能量损耗,非常适合用于射频和微波电路。
2. 采用C0G/NP0类介质材料,具备优异的温度稳定性和频率稳定性,确保在宽温度范围内电容值变化很小。
3. 具有较低的ESR和较小的寄生效应,有助于提升整体电路的效率和性能。
4. 表面贴装技术允许自动化装配,提高生产效率并降低故障率。
5. 小型化设计使其能够满足现代电子设备对紧凑空间的需求,同时保持可靠的电气性能。
211CC2S4160P广泛应用于以下领域:
1. 射频放大器和混频器中的信号耦合与隔离。
2. 滤波器设计,如带通滤波器、低通滤波器等,以消除不需要的频率成分。
3. 微波电路中的阻抗匹配网络,优化功率传输和减少反射。
4. 无线通信系统中的谐振回路,例如收发器模块。
5. 卫星通信和雷达系统中的高频组件,提供稳定的性能表现。
211CC2S4160R, C0G16PF50V0805