F1071 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等高效率功率转换场合。F1071 的设计旨在提供高电流能力和低导通电阻,从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和机械稳定性。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):7A(连续)
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大 0.12 欧姆(在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):约 15nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
F1071 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高整体效率。其 100V 的漏源电压额定值使其适用于多种中等电压功率转换应用。此外,该器件具有较高的电流处理能力,能够在连续工作条件下承受高达 7A 的漏极电流,适合用于中高功率负载。
F1071 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了导通特性和开关性能。其栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关频率下的性能表现。同时,该器件的热阻较低,能够在高功率密度设计中保持良好的热稳定性。
该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,适用于可能出现瞬态过电压或电流冲击的应用场景。此外,F1071 的封装形式(TO-252)具有良好的散热能力,便于 PCB 设计和装配。
F1071 主要应用于各种功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和 LED 照明驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流能力,F1071 在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。
在开关电源中,F1071 可作为主开关器件用于控制能量传输,也可用于同步整流以提高转换效率。在 DC-DC 转换器中,它适用于高侧或低侧开关,特别是在中等功率输出的应用中。在电机控制应用中,F1071 可用于 H 桥结构中的功率开关,实现对电机方向和速度的控制。此外,在电池管理系统中,它可作为充放电控制开关,实现高效的能量管理。
IRFZ44N, FDPF1071, FDS4410, STP75NF75