F1071 时间：2025/8/24 19:12:19 阅读：23

F1071 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等高效率功率转换场合。F1071 的设计旨在提供高电流能力和低导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：7A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.12 欧姆（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：约 15nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

F1071 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。其 100V 的漏源电压额定值使其适用于多种中等电压功率转换应用。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够在连续工作条件下承受高达 7A 的漏极电流，适合用于中高功率负载。
　　F1071 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通特性和开关性能。其栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率下的性能表现。同时，该器件的热阻较低，能够在高功率密度设计中保持良好的热稳定性。
　　该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于可能出现瞬态过电压或电流冲击的应用场景。此外，F1071 的封装形式（TO-252）具有良好的散热能力，便于 PCB 设计和装配。

应用

F1071 主要应用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和 LED 照明驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流能力，F1071 在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。
　　在开关电源中，F1071 可作为主开关器件用于控制能量传输，也可用于同步整流以提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，它适用于高侧或低侧开关，特别是在中等功率输出的应用中。在电机控制应用中，F1071 可用于 H 桥结构中的功率开关，实现对电机方向和速度的控制。此外，在电池管理系统中，它可作为充放电控制开关，实现高效的能量管理。