MDMA380P1800KC 时间：2025/8/5 18:12:56 阅读：26

MDMA380P1800KC 是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Renesas Electronics制造。这款MOSFET专为高功率密度应用设计，适用于需要高效能、低导通电阻和高速开关性能的系统。其封装形式为TO-247，适合在高温环境下运行，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：380V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：180A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为5.5mΩ（最大值为6.5mΩ）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

MDMA380P1800KC 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使其在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，从而减少了开关损耗。其高耐压能力（380V）使其适用于多种高电压输入的电源拓扑结构，如PFC（功率因数校正）电路和半桥/全桥转换器。
　　该MOSFET的封装采用TO-247标准封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率工作条件下保持稳定。同时，其栅极设计具备较高的抗静电能力，增强了器件的可靠性和耐用性。在极端工作环境下，如工业设备或电机驱动系统中，MDMA380P1800KC 能够保持稳定的性能表现。

应用

MDMA380P1800KC 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。常见的应用包括工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器以及各类DC-DC转换器。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于PFC（功率因数校正）电路和高频率开关电源拓扑结构，如LLC谐振转换器和同步整流器。