时间：2025/12/27 8:56:23
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F05N50-TD是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。该器件专为高效率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其500V的漏源击穿电压使其能够在高压环境中稳定工作，而低导通电阻和优良的热性能则有助于提高系统整体效率并降低功耗。F05N50-TD在设计上优化了雪崩能量耐受能力与dv/dt抗扰度，增强了在恶劣电气环境下的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，适合对环保要求较高的工业与消费类电子产品应用。
这款MOSFET通过优化栅极电荷和输出电容，实现了快速开关响应，从而减少了开关损耗，特别适用于高频开关电源拓扑结构如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器中。其坚固的硅工艺结合可靠的封装技术，确保在高温、高湿及振动环境下仍能保持稳定的电气性能。F05N50-TD广泛用于工业电源、光伏逆变器、UPS不间断电源、照明镇流器以及家电控制模块等领域。
型号：F05N50-TD
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
制造商：Vishay Semiconductors
漏源电压（VDS）：500 V
栅源电压（VGS）：±30 V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：5.0 A
脉冲漏极电流（IDM）：20 A
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：0.65 Ω
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 5V）：0.85 Ω
栅极电荷（Qg typ）：24 nC
输入电容（Ciss typ）：670 pF
开启延迟时间（td(on)）：20 ns
关断延迟时间（td(off)）：45 ns
反向恢复时间（trr）：40 ns
最大工作结温（Tj max）：150 °C
热阻结到壳（RthJC）：1.5 K/W
F05N50-TD具备出色的电气与热性能，其核心优势在于高击穿电压与相对较低的导通电阻之间的良好平衡，这使得它在中等功率开关应用中表现出色。器件的500V漏源击穿电压保证了在高压线路条件下仍具有足够的安全裕量，尤其适用于85~265VAC输入范围的开关电源设计。该MOSFET采用了先进的平面场截止技术（Planar Field-Stop），有效降低了开关过程中的能量损耗，同时提升了dv/dt稳定性，减少误触发风险。
另一个显著特点是其优化的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这些参数直接影响开关速度与驱动功耗。F05N50-TD的典型Qg仅为24nC，在10V栅压下即可实现充分导通，配合低至670pF的输入电容，可在高频PWM控制下实现快速响应，从而显著降低开关损耗，提升系统效率。这对于追求小型化与高效能的现代电源适配器、LED驱动电源尤为重要。
在可靠性方面，F05N50-TD具备较强的雪崩耐量（Avalanche Rated），能够承受一定程度的电感负载突变或短路瞬态冲击，提高了系统的鲁棒性。同时，其反向恢复时间较短（trr=40ns），可有效抑制体二极管反向恢复带来的电流尖峰，降低EMI干扰，改善整体电磁兼容表现。TO-252封装提供了良好的散热路径，便于PCB布局中的热管理，支持长时间满负荷运行。此外，器件通过AEC-Q101认证（如适用），可用于汽车电子辅助电源系统，展现出了广泛的环境适应能力。
F05N50-TD广泛应用于各类需要高压、中功率开关控制的电子系统中。典型用途包括离线式开关电源（SMPS），尤其是在反激式拓扑结构中作为主开关管使用，适用于AC-DC适配器、充电器、网络通信设备电源模块等产品。由于其具备500V耐压能力和良好的热稳定性，也常用于工业控制领域的DC-DC转换器，例如PLC电源模块、传感器供电单元等。
在照明领域，该器件可用于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式驱动方案中发挥关键作用，帮助实现高效率、低纹波的输出特性。同时，因其具备较快的开关速度与较低的驱动损耗，也被用于高频逆变器电路，如小型光伏微逆变器或UPS后备电源中的DC-AC转换阶段。
此外，F05N50-TD还可作为电机驱动电路中的功率开关元件，用于控制小功率直流电机或步进电机的启停与方向切换，常见于家用电器如洗衣机、风扇、空气净化器等内部控制板中。在智能电表、电池管理系统（BMS）以及其他需要负载开关功能的应用中，该MOSFET也可用于实现远程通断控制与过流保护机制。得益于其表面贴装封装形式，F05N50-TD非常适合自动化SMT生产线，有利于提升制造效率与产品一致性。
FQP5N50C, STP5NK50ZFP, IRFBC50, HGT5N50C
