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HY57V641620ETP-H 发布时间 时间:2025/7/16 12:26:45 查看 阅读:10

HY57V641620ETP-H 是一款由 Hynix(现代半导体)生产的高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片主要用于需要大容量数据缓存的应用场景,例如计算机主板、网络设备和嵌入式系统等。其设计符合 JEDEC 标准,具备高可靠性和稳定性。
  这款 SDRAM 芯片采用 16Mb x 16 的存储结构,总容量为 32MB。它支持突发传输模式,可以显著提高数据读写速度,并且兼容多种主流的微处理器和控制器接口。

参数

容量:32MB
  存储结构:16Mb x 16
  工作电压:3.3V
  访问时间:8ns/10ns
  数据宽度:16位
  封装形式:TSOP II
  工作频率:133MHz
  I/O 标准:LVTTL
  引脚数:66Pin

特性

HY57V641620ETP-H 具有以下主要特性:
  1. 高速数据传输能力:支持高达 133MHz 的时钟频率,确保快速的数据交换。
  2. 突发长度灵活:支持多种突发长度设置(如 1、2、4、8),适应不同的应用需求。
  3. 低功耗设计:采用先进的工艺技术,在保证性能的同时降低功耗。
  4. 可靠性高:通过严格的质量控制流程,确保产品在恶劣环境下的稳定运行。
  5. 易于集成:与主流微处理器及控制器接口兼容,简化了系统设计过程。
  6. 宽温支持:部分版本支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适合户外或极端条件下的使用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 计算机主板:作为二级缓存,提升整体系统性能。
  2. 网络设备:路由器、交换机等中用于数据包缓冲。
  3. 工业自动化:PLC 和其他实时控制系统中的临时数据存储。
  4. 嵌入式系统:消费类电子产品(如打印机、扫描仪)中的高速数据处理。
  5. 通信设备:基站和其他高性能通信设备中的数据缓存。

替代型号

HY57V641620BTP-H
  HYM1616200TP-H
  MT48LC16M16TP-75

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HY57V641620ETP-H参数

  • 位址总线宽14bit
  • 字组数目1M
  • 存储器大小64Mbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度10.26mm
  • 封装类型TSOP II
  • 尺寸22.33 x 10.26 x 0.98mm
  • 引脚数目54
  • 数据总线宽度16bit
  • 数据速率133MHz
  • 最低工作温度0 °C
  • 最大工作电源电压3.6 V
  • 最小工作电源电压3 V
  • 最长随机存取时间6ns
  • 最高工作温度+70 °C
  • 每字组的位元数目16bit
  • 组织4M x 16 位
  • 长度22.33mm
  • 高度0.98mm