类型：氮化镓（GaN）功率晶体管
　　漏极电流（Id）：80A（最大）
　　漏源电压（Vds）：650V（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约15mΩ
　　封装类型：8引脚表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 30nC
　　短路耐受能力：有
　　功率耗散：根据散热条件不同而变化

EZJ-P0V080KA具备多项先进的性能特点。首先，它基于GaN-on-Si技术制造，具备极低的导通电阻和极快的开关速度，显著降低了导通和开关损耗，从而提高了整体效率。其次，该器件具备良好的短路耐受能力，可在严苛的工作条件下保持稳定运行。此外，EZJ-P0V080KA采用了先进的封装技术，具有优异的热管理和高频工作能力，适用于高密度电源设计。该器件还支持高工作温度，确保在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。最后，其8引脚封装设计简化了PCB布局并提高了栅极驱动的稳定性，减少了寄生电感的影响，从而提高了开关性能。
　　此外，EZJ-P0V080KA具有高度集成的特点，减少了外围电路的需求，并支持软开关技术，如LLC和ZVS拓扑，进一步提高效率。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动器设计，提高了系统的灵活性。该器件还具备高dv/dt耐受能力，降低了因快速开关引起的误触发风险。整体来看，EZJ-P0V080KA在性能、可靠性和易用性方面均表现出色，是高功率密度电源设计的理想选择。

EZJ-P0V080KA广泛应用于需要高效率、高频和高功率密度的场合。典型应用包括服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器、电机驱动器以及各种高频开关电源拓扑（如LLC谐振转换器、半桥和全桥拓扑）。此外，该器件也非常适合用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品电源系统，例如高端计算设备和存储系统。由于其优异的热性能和高频操作能力，EZJ-P0V080KA还可用于高密度电源模块和分布式电源系统中。

EPC2053, EPC2045, EPC2038, EPC2027, GS66508P