时间：2025/11/6 5:01:53
阅读：9
WL100505G1N2SGT03是一款由Walsin（华新科技）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型贴片电容，广泛应用于各类消费类电子、通信设备及工业控制产品中。其封装尺寸为0402（公制1005），即长度约为1.0mm，宽度约为0.5mm，高度约为0.5mm，适合高密度表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计需求。该电容器采用镍障层电极结构（Ni-barrier electrode），具备良好的焊接可靠性和抗热冲击性能，适用于无铅回流焊工艺。WL100505G1N2SGT03的额定电容值为1nF（即1000pF），允许一定的容差范围，通常为±10%，符合EIA标准中的C0G（NP0）介质材料特性。C0G材质以其极高的稳定性著称，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化极小，几乎不受电压、频率和时间的影响，因此特别适用于对信号完整性要求较高的高频电路、振荡器、滤波器和定时电路等场景。此外，该型号工作电压为50V，能够在中高压环境下稳定运行，同时具有低等效串联电阻（ESR）和低损耗因子（DF），有助于提升系统效率并减少发热。作为一款主流规格的MLCC，WL100505G1N2SGT03在供应链上较为成熟，常用于去耦、旁路、耦合和噪声抑制等多种功能电路中。
型号：WL100505G1N2SGT03
品牌：Walsin（华新科技）
封装尺寸：0402（1005公制）
电容值：1nF（1000pF）
容差：±10%
介质材料：C0G（NP0）
额定电压：50V
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
温度特性：±30ppm/°C（Class 1）
电极结构：Ni-barrier（镍障层）
安装方式：表面贴装（SMT）
无铅兼容：是
厚度：约0.5mm
长度：1.0±0.1mm
宽度：0.5±0.05mm
WL100505G1N2SGT03所采用的C0G（也称为NP0）介质材料是Class 1类陶瓷电容器的代表，具有极其优异的电气稳定性。这种材料的介电常数随温度的变化非常微弱，通常在整个工作温度区间内电容值的变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他常见介质类型。这意味着无论是在极端低温还是高温环境下，该电容器都能保持其标称电容值不变，不会因环境温度波动而引起电路参数漂移，从而确保系统的长期可靠性与精度。这一特性使其非常适合用于高性能模拟电路、射频匹配网络、LC谐振回路以及精密时钟发生器中。
此外，C0G材质还表现出极低的电压系数和频率依赖性，即使在高频应用下（如GHz级别），其电容值也不会显著下降，且介质损耗极低（DF通常小于0.1%），有效减少了信号衰减和能量损耗。这对于高速数字系统中的电源去耦或高频滤波尤为重要，可以有效抑制噪声而不引入额外相位失真。
该器件的0402小型封装不仅节省PCB空间，而且寄生电感较小，有利于提高高频响应能力。同时，其镍障层电极设计增强了抗银离子迁移能力，提升了在潮湿环境下的长期可靠性，并支持多次回流焊过程，适应复杂的SMT生产工艺。整体而言，WL100505G1N2SGT03结合了稳定的电气性能、可靠的物理结构和良好的可制造性，是一款适用于严苛工况和高可靠性要求应用场景的理想选择。
WL100505G1N2SGT03因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于对电容稳定性要求极高的电路设计中。典型用途包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，例如在Wi-Fi、蓝牙、ZigBee和蜂窝通信模块中用于LC滤波器和天线调谐电路，以确保信号传输的高效与稳定。此外，在各类振荡器电路（如晶体振荡器、压控振荡器VCO）中，该电容常作为负载电容使用，其稳定的电容值可防止频率漂移，保障系统时钟的精确性。
在模拟信号处理领域，该器件适用于有源滤波器、差分放大器和ADC/DAC接口电路，用于提供精确的耦合与去耦功能，避免信号失真。由于其电压系数极低，在高精度传感器信号调理电路中也可作为旁路电容使用，确保微弱信号不受干扰。
在电源管理方面，尽管其容量较小，但凭借低ESR和快速响应特性，可用于高频开关电源（如DC-DC转换器）的输出滤波或反馈环路补偿，帮助改善瞬态响应和环路稳定性。
此外，该型号也常见于汽车电子（AEC-Q200认证版本可能不同）、医疗设备、工业自动化控制系统等对长期可靠性要求较高的场合。其无铅兼容性和符合RoHS指令的特点，也使其适用于出口型电子产品和绿色电子产品设计。
GRM1555C1H102JA01D
CL10A102JP8NNNC
CC0402JRNPO9BN102
