时间：2025/7/11 16:57:44
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EWK212C6475KD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域具有广泛的应用。其卓越的导通电阻和快速的开关特性使其成为高效能电子系统中的理想选择。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，具备低导通电阻和优秀的热性能，能够显著降低功耗并提高整体效率。
类型：N沟道 MOSFET
漏源极耐压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
总功耗(Ptot)：210W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
EWK212C6475KD-T 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，适合高频应用环境。
3. 高耐压能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
4. 出色的热性能，能够承受较高的结温，延长使用寿命。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 提供精确的电气参数控制，确保产品的一致性和稳定性。
该器件适用于需要高电压、大电流和低损耗的场景，同时其坚固的结构设计进一步增强了产品的耐用性。
EWK212C6475KD-T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和适配器设计。
2. DC-DC转换器，包括降压和升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的功率转换模块。
其出色的电气特性和可靠性使其在各种复杂环境中表现出色。
EWK212C6475GD-T, IRFP460, STP65NF06
