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BSS138 R1 发布时间 时间:2025/8/14 14:51:06 查看 阅读:11

BSS138 R1 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路和电平转换应用中。该器件由 Infineon Technologies(英飞凌)生产,具有小型封装和良好的电气性能,适合在低电压、中等电流环境下使用。由于其结构简单、驱动容易,BSS138 R1 常用于数字电路中的负载开关、信号路由以及电源管理等场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):100 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  漏极电流(ID):100 mA
  导通电阻(RDS(on)):5 Ω @ VGS = 10 V
  阈值电压(VGS(th)):1.1 V ~ 2.0 V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOT-23(也称 TO-236)

特性

BSS138 R1 的设计使其在多种电子应用中表现出色。首先,其最大漏源电压为 100V,使得它能够在相对较高的电压下工作,适用于多种低压控制系统中的开关操作。其次,该器件的最大漏极电流为 100mA,足以满足许多中低功率应用的需求。导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 5Ω,这确保了在导通状态下的低功耗和高效率。
  该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±20V,具有良好的栅极控制能力,同时具备一定的过压保护能力。阈值电压范围在 1.1V 到 2.0V 之间,意味着它可以在较低的栅极电压下开启,适用于 3.3V 或 5V 的数字控制系统。此外,BSS138 R1 采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 布局,同时具有良好的散热性能。
  其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,表现出良好的热稳定性和环境适应性,适合在工业级和汽车电子应用中使用。

应用

BSS138 R1 MOSFET 主要应用于低电压开关电路、电平转换器、负载控制、信号路由、电源管理系统以及嵌入式系统中的接口电路。由于其良好的电气性能和小封装形式,它常用于便携式设备、消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子模块中。例如,在数字电路中作为高侧或低侧开关,用于控制 LED、继电器、小型电机等负载;在 I2C、SPI 等通信总线中作为电平转换器;以及在电源管理单元中用于电池切换或负载隔离。

替代型号

2N7002, FDV301N, SI2302DS, 2N3904(BJT 类似功能替代)

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