EVD50F0S5ZE0 是一款由东芝(Toshiba)生产的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于各种工业和电力电子系统,如逆变器、电机控制和电源系统。
型号: EVD50F0S5ZE0
集电极-发射极电压(VCES): 600V
集电极电流(IC): 50A
工作温度范围: -40°C 至 150°C
封装类型: TO-247
栅极-发射极电压(VGE): ±20V
导通压降(VCEsat): 典型值为2.1V(在IC=50A时)
短路耐受能力: 6μs(典型值)
EVD50F0S5ZE0 具备多项优异特性,适用于高性能电力电子设备。
首先,该IGBT具有较高的集电极电流容量(50A),能够在大功率负载下稳定工作。这使得它非常适合用于需要高电流能力的电机驱动和逆变器系统中。
其次,其集电极-发射极电压额定值为600V,提供了良好的电压耐受能力,适用于中高压应用。这使得EVD50F0S5ZE0在工业电机控制、不间断电源(UPS)和电焊设备中表现出色。
此外,该器件采用了先进的芯片技术和封装设计,具备较低的导通压降(VCEsat),典型值为2.1V,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。同时,EVD50F0S5ZE0还具备良好的短路耐受能力,可在6μs内承受短路电流,增强了系统的可靠性和安全性。
该IGBT采用TO-247封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种严苛的工业环境。其栅极-发射极电压范围为±20V,具有较强的抗干扰能力和稳定性,适用于高频开关应用。
综上所述,EVD50F0S5ZE0是一款性能优异、可靠性高的IGBT器件,适用于多种高功率和高电压应用场景。
EVD50F0S5ZE0 主要应用于以下领域:
1. 工业电机驱动和变频器:由于其高电流容量和良好的电压耐受能力,EVD50F0S5ZE0非常适合用于工业电机控制和变频器系统中,提供高效的功率转换和控制。
2. 逆变器和不间断电源(UPS):该器件的低导通压降和良好的短路耐受能力使其成为逆变器和UPS系统中的理想选择,能够提供稳定可靠的电力输出。
3. 电焊设备:EVD50F0S5ZE0的高功率处理能力和良好的热稳定性使其适用于各种电焊设备,确保焊接过程的高效和稳定。
4. 新能源系统:该IGBT也可用于太阳能逆变器和风力发电系统中,为清洁能源转换提供高效、可靠的解决方案。
5. 电动车辆和充电设备:EVD50F0S5ZE0的高性能和可靠性使其适用于电动汽车的电机控制系统和充电设备中,满足高功率需求。
IXGH50N60C3D1, FGA60N65SMD-F155, STGY55HB2Y