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IXFK180N15 发布时间 时间:2025/8/6 3:03:32 查看 阅读:28

IXFK180N15是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司生产。该器件专为高电流和高功率应用设计,具有较低的导通电阻,使其在高效率功率转换应用中表现优异。这种MOSFET通常用于电源管理、电机控制、逆变器、DC-DC转换器以及各种工业和消费类电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  连续漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为7.5毫欧(具体值可能根据数据手册有所变化)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):约2.5V至4.5V
  最大功耗(Pd):400W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXFK180N15的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件具有高电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。其高耐压能力(150V)使其适用于多种高电压应用。该MOSFET采用先进的封装技术,确保良好的散热性能,从而提高可靠性。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。IXFK180N15还具有较高的雪崩能量耐受能力,使其在突发性高压情况下仍能保持稳定运行。这些特性使其成为工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等高要求应用的理想选择。

应用

IXFK180N15广泛应用于高功率电子设备中,如DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备和高功率LED照明系统。在电源管理系统中,该器件可用于高效的能量转换和分配。在电动汽车和充电设备中,它也被用于电池管理系统和功率调节模块。此外,该MOSFET还可用于音频放大器、焊接设备和高功率消费类电子产品中。

替代型号

IXFK180N15X2, IXFK160N15T2

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