时间：2025/5/9 15:11:09
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FQD2N90是一种N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于高电压和大电流场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于电源管理、电机驱动以及各类开关应用。其额定耐压为900V，适用于需要较高击穿电压的场合。
最大漏源电压：900V
最大连续漏极电流：2A
栅极阈值电压：3V~6V
导通电阻（典型值）：4.5Ω
总功耗：115W
结温范围：-55℃~175℃
FQD2N90具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达900V的漏源电压，适合高压电路设计。
2. 较低的导通电阻，在额定条件下可以降低功率损耗。
3. 快速开关特性，支持高频工作场景，减少开关损耗。
4. TO-220封装提供良好的散热性能，适用于功率应用。
5. 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。
FQD2N90广泛用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 逆变器及转换器中的主控开关。
3. 电机驱动器中的功率级控制。
4. 工业设备中的电磁阀驱动与继电器控制。
5. 照明系统中的LED驱动电路。
IRF840
FQP2N90
STP2N90K5
